AGM-Semi (core control source)
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AGM605Q
N-channel 60V 58A 6.2mΩ
型号
AGM605Q
类目
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
制造商/品牌
AGM-Semi (core control source)
封装
DFN5x6
包装
taping
包裹数量
3000
简介
Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 60V Continuous Drain Current (Id): 58A Power (Pd): 50W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 6.2mΩ@10V,15A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.6V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 15nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 0.976nF@30V, Vds=60V Id=58A Rds=6.2mΩ, working Temperature: -55℃~+150℃@(Tj) DFN5*6encapsulation;
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