AGM-Semi (core control source)
图片可能具有代表性。
产品详情请参阅规格.
产品详情请参阅规格.
AGM605C
N-channel 60V 80A 4.5mΩ
型号
AGM605C
类目
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
制造商/品牌
AGM-Semi (core control source)
封装
TO-220C
包装
Tube
包裹数量
50
简介
Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 60V Continuous Drain Current (Id): 80A Power (Pd): 25W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 4.5mΩ@10V,20A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.8V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 44.5nC@0V Input capacitance (Ciss@Vds): 2.413nF@25V , Vds=60V Id=80A Rds=4.5mΩ, Working temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
请求报价
请填写所有必填字段并点击“提交”，我们将在12小时内通过电子邮件与您联系。如果您有任何问题，请留言或发送电子邮件至 [email protected]，我们将尽快回复。
有货 60983 PCS
联系信息
相关产品
关键词 AGM605C
AGM605C 电子元件
AGM605C 销售
AGM605C 供应商
AGM605C 分销商
AGM605C 数据表
AGM605C 图片
AGM605C 报价
AGM605C 提供
AGM605C 最低价格
AGM605C 搜索
AGM605C 购买
AGM605C 芯片