AGM-Semi (core control source)
图片可能具有代表性。
产品详情请参阅规格.
产品详情请参阅规格.
AGM602C
N-channel 60V 210A 2.3mΩ
型号
AGM602C
类目
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
制造商/品牌
AGM-Semi (core control source)
封装
TO-220
包装
Tube
包裹数量
50
简介
Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 60V Continuous Drain Current (Id): 210A Power (Pd): 186W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 2.3mΩ@10V,20A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.7V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 93nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 5.8nF@30V, Vds=60V Id=210A Rds=2.3mΩ, working Temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
请求报价
请填写所有必填字段并点击“提交”，我们将在12小时内通过电子邮件与您联系。如果您有任何问题，请留言或发送电子邮件至 [email protected]，我们将尽快回复。
有货 75985 PCS
联系信息
相关产品
关键词 AGM602C
AGM602C 电子元件
AGM602C 销售
AGM602C 供应商
AGM602C 分销商
AGM602C 数据表
AGM602C 图片
AGM602C 报价
AGM602C 提供
AGM602C 最低价格
AGM602C 搜索
AGM602C 购买
AGM602C 芯片