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TPH2010FNH,L1Q

TPH2010FNH,L1Q

MOSFET N-CH 250V 5.6A 8SOP
型号
TPH2010FNH,L1Q
系列
U-MOSVIII-H
零件状态
Active
包装
Tape & Reel (TR)
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
8-PowerVDFN
供应商器件封装
8-SOP Advance (5x5)
功率耗散(最大)
1.6W (Ta), 42W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
250V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
5.6A (Ta)
Rds On(最大值)@ Id、Vgs
198 mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs(th)(最大值)@Id
4V @ 200µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
7nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
600pF @ 100V
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)
10V
电压 (最大值)
±20V
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