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BVSS138LT1G

BVSS138LT1G

MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23-3
型号
BVSS138LT1G
制造商/品牌
系列
-
零件状态
Active
包装
Cut Tape (CT)
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装
SOT-23-3
功率耗散(最大)
225mW (Ta)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
50V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
200mA (Ta)
Rds On(最大值)@ Id、Vgs
3.5 Ohm @ 200mA, 5V
Vgs(th)(最大值)@Id
1.5V @ 1mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
-
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
50pF @ 25V
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)
5V
电压 (最大值)
±20V
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