购买 ON Semiconductor BVSS123LT1G MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23-3 - YYIC

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BVSS123LT1G

数据表

BVSS123LT1G

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23-3

型号

BVSS123LT1G

制造商/品牌

ON Semiconductor

系列

-

零件状态

Active

包装

Cut Tape (CT)

技术

MOSFET (Metal Oxide)

工作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安装类型

Surface Mount

封装/箱体

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装

SOT-23-3

功率耗散（最大）

225mW (Ta)

场效应晶体管类型

N-Channel

场效应晶体管特性

-

漏源电压 (Vdss)

100V

电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C

170mA (Ta)

Rds On（最大值）@ Id、Vgs

6 Ohm @ 100mA, 10V

Vgs(th)（最大值）@Id

2.8V @ 1mA

栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs

-

输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds

20pF @ 25V

驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）

10V

电压 (最大值)

±20V

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