VQ3001P-E3
MOSFET 2N/2P-CH 30V 14DIP
型号
VQ3001P-E3
制造商/品牌
系列
-
零件状态
Obsolete
包装
Tube
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
-
封装/箱体
-
功率 - 最大
2W
供应商器件封装
-
场效应晶体管类型
2 N and 2 P-Channel
场效应晶体管特性
Standard
漏源电压 (Vdss)
30V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
850mA, 600mA
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
1 Ohm @ 1A, 12V
Vgs(th)（最大值）@Id
2.5V @ 1mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
-
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
110pF @ 15V
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