SUD35N10-26P-E3
MOSFET N-CH 100V 35A TO252
型号
SUD35N10-26P-E3
制造商/品牌
系列
TrenchFET®
零件状态
Active
包装
Cut Tape (CT)
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装
TO-252
功率耗散（最大）
8.3W (Ta), 83W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
100V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
35A (Tc)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
26 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
4.4V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
47nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
2000pF @ 12V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
7V, 10V
电压 (最大值)
±20V
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