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SQJ912BEP-T1_GE3

SQJ912BEP-T1_GE3

MOSFET N-CH DUAL 40V PPSO-8L
型号
SQJ912BEP-T1_GE3
制造商/品牌
系列
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
零件状态
Active
包装
Cut Tape (CT)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
PowerPAK® SO-8 Dual
功率 - 最大
48W (Tc)
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8 Dual
场效应晶体管类型
2 N-Channel (Dual)
场效应晶体管特性
Standard
漏源电压 (Vdss)
40V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
30A (Tc)
Rds On(最大值)@ Id、Vgs
11 mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th)(最大值)@Id
2V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
60nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
3000pF @ 25V
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有货 23035 PCS
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