SQJ560EP-T1_GE3
MOSFET DUAL N P CH 60V PPAK SO-8
型号
SQJ560EP-T1_GE3
制造商/品牌
系列
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
零件状态
Active
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
PowerPAK® SO-8 Dual
功率 - 最大
34W (Tc)
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8 Dual
场效应晶体管类型
N and P-Channel
场效应晶体管特性
Standard
漏源电压 (Vdss)
60V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
30A (Tc), 18A (Tc)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
12 mOhm @ 10A, 10V, 52.6 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
2.5V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
30nC @ 10V, 45nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1650pF @ 25V
请求报价
请填写所有必填字段并点击“提交”，我们将在12小时内通过电子邮件与您联系。如果您有任何问题，请留言或发送电子邮件至 [email protected]，我们将尽快回复。
有货 36987 PCS
联系信息
相关产品
关键词 SQJ560EP-T1_GE3
SQJ560EP-T1_GE3 电子元件
SQJ560EP-T1_GE3 销售
SQJ560EP-T1_GE3 供应商
SQJ560EP-T1_GE3 分销商
SQJ560EP-T1_GE3 数据表
SQJ560EP-T1_GE3 图片
SQJ560EP-T1_GE3 报价
SQJ560EP-T1_GE3 提供
SQJ560EP-T1_GE3 最低价格
SQJ560EP-T1_GE3 搜索
SQJ560EP-T1_GE3 购买
SQJ560EP-T1_GE3 芯片