SIHU4N80E-GE3
MOSFET N-CHAN 800V TO-251
型号
SIHU4N80E-GE3
制造商/品牌
系列
E
零件状态
Active
包装
Tube
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/箱体
TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
供应商器件封装
IPAK (TO-251)
功率耗散（最大）
69W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
800V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
4.3A (Tc)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
1.27 Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
4V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
32nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
622pF @ 100V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
10V
电压 (最大值)
±30V
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