SIDR392DP-T1-GE3
MOSFET N-CHAN 30V
型号
SIDR392DP-T1-GE3
制造商/品牌
系列
TrenchFET® Gen IV
零件状态
Active
包装
Tape & Reel (TR)
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
PowerPAK® SO-8
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8DC
功率耗散（最大）
6.25W (Ta), 125W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
30V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
82A (Ta), 100A (Tc)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
0.62 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
2.2V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
188nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
9530pF @ 15V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
4.5V, 10V
电压 (最大值)
+20V, -16V
请求报价
请填写所有必填字段并点击“提交”，我们将在12小时内通过电子邮件与您联系。如果您有任何问题，请留言或发送电子邮件至 [email protected]，我们将尽快回复。
有货 28333 PCS
联系信息
相关产品
关键词 SIDR392DP-T1-GE3
SIDR392DP-T1-GE3 电子元件
SIDR392DP-T1-GE3 销售
SIDR392DP-T1-GE3 供应商
SIDR392DP-T1-GE3 分销商
SIDR392DP-T1-GE3 数据表
SIDR392DP-T1-GE3 图片
SIDR392DP-T1-GE3 报价
SIDR392DP-T1-GE3 提供
SIDR392DP-T1-GE3 最低价格
SIDR392DP-T1-GE3 搜索
SIDR392DP-T1-GE3 购买
SIDR392DP-T1-GE3 芯片