SI4618DY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
型号
SI4618DY-T1-E3
制造商/品牌
系列
TrenchFET®
零件状态
Active
包装
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
功率 - 最大
1.98W, 4.16W
供应商器件封装
8-SO
场效应晶体管类型
2 N-Channel (Half Bridge)
场效应晶体管特性
Standard
漏源电压 (Vdss)
30V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
8A, 15.2A
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
17 mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
2.5V @ 1mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
44nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1535pF @ 15V
请求报价
请填写所有必填字段并点击“提交”，我们将在12小时内通过电子邮件与您联系。如果您有任何问题，请留言或发送电子邮件至 [email protected]，我们将尽快回复。
有货 34778 PCS
联系信息
相关产品
关键词 SI4618DY-T1-E3
SI4618DY-T1-E3 电子元件
SI4618DY-T1-E3 销售
SI4618DY-T1-E3 供应商
SI4618DY-T1-E3 分销商
SI4618DY-T1-E3 数据表
SI4618DY-T1-E3 图片
SI4618DY-T1-E3 报价
SI4618DY-T1-E3 提供
SI4618DY-T1-E3 最低价格
SI4618DY-T1-E3 搜索
SI4618DY-T1-E3 购买
SI4618DY-T1-E3 芯片