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TPH6R004PL,LQ

TPH6R004PL,LQ

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
型号
TPH6R004PL,LQ
系列
U-MOSIX-H
零件状态
Active
包装
-
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
175°C
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
8-PowerVDFN
供应商器件封装
8-SOP Advance (5x5)
功率耗散(最大)
1.8W (Ta), 81W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
40V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
87A (Ta), 49A (Tc)
Rds On(最大值)@ Id、Vgs
6 mOhm @ 24.5A, 10V
Vgs(th)(最大值)@Id
2.4V @ 200µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
30nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
2700pF @ 20V
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)
4.5V, 10V
电压 (最大值)
±20V
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