TPH6400ENH,L1Q
MOSFET N-CH 200V 21A 8-SOP
型号
TPH6400ENH,L1Q
系列
U-MOSVIII-H
零件状态
Active
包装
Tape & Reel (TR)
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
8-PowerVDFN
供应商器件封装
8-SOP Advance (5x5)
功率耗散（最大）
1.6W (Ta), 57W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
200V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
13A (Ta)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
64 mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
4V @ 300µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
11.2nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1100pF @ 100V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
10V
电压 (最大值)
±20V
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