TK6Q65W,S1Q
MOSFET N-CH 650V 5.8A IPAK-OS
型号
TK6Q65W,S1Q
系列
DTMOSIV
零件状态
Active
包装
Tube
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/箱体
TO-251-3 Stub Leads, IPak
供应商器件封装
I-PAK
功率耗散（最大）
60W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
650V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
5.8A (Ta)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
1.05 Ohm @ 2.9A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
3.5V @ 180µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
11nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
390pF @ 300V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
10V
电压 (最大值)
±30V
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