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TK14C65W5,S1Q

TK14C65W5,S1Q

MOSFET N-CH 650V 13.7A I2PAK
型号
TK14C65W5,S1Q
系列
DTMOSIV
零件状态
Active
包装
Tube
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/箱体
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
供应商器件封装
I2PAK
功率耗散(最大)
130W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
650V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
13.7A (Ta)
Rds On(最大值)@ Id、Vgs
300 mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs(th)(最大值)@Id
4.5V @ 690µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
40nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1300pF @ 300V
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)
10V
电压 (最大值)
±30V
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