HN4K03JUTE85LF
MOSFET N-CH 20V 0.1A USV
型号
HN4K03JUTE85LF
系列
-
零件状态
Obsolete
包装
Cut Tape (CT)
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
供应商器件封装
USV
功率耗散（最大）
200mW (Ta)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
20V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
100mA (Ta)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
12 Ohm @ 10mA, 2.5V
Vgs(th)（最大值）@Id
-
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
-
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
8.5pF @ 3V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
2.5V
电压 (最大值)
10V
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