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STH6N95K5-2

STH6N95K5-2

MOSFET N-CH 950V 6A
型号
STH6N95K5-2
制造商/品牌
系列
MDmesh™ K5
零件状态
Active
包装
Tape & Reel (TR)
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装
H2Pak-2
功率耗散(最大)
110W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
950V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
6A (Tc)
Rds On(最大值)@ Id、Vgs
1.25 Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th)(最大值)@Id
5V @ 100µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
13nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
450pF @ 100V
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)
10V
电压 (最大值)
±30V
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