US6M1TR
MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6
型号
US6M1TR
制造商/品牌
系列
-
零件状态
Active
包装
Digi-Reel®
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
6-SMD, Flat Leads
功率 - 最大
1W
供应商器件封装
TUMT6
场效应晶体管类型
N and P-Channel
场效应晶体管特性
Logic Level Gate
漏源电压 (Vdss)
30V, 20V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
1.4A, 1A
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
240 mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
2.5V @ 1mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
2nC @ 5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
70pF @ 10V
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