US6J2TR
MOSFET 2P-CH 20V 1A TUMT6
场效应晶体管类型
2 P-Channel (Dual)
场效应晶体管特性
Logic Level Gate
Rds On(最大值)@ Id、Vgs
390 mOhm @ 1A, 4.5V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
2.1nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
150pF @ 10V
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