RUE002N02TL
MOSFET N-CH 20V .2A EMT3
型号
RUE002N02TL
制造商/品牌
系列
-
零件状态
Not For New Designs
包装
Tape & Reel (TR)
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
SC-75, SOT-416
供应商器件封装
EMT3
功率耗散（最大）
150mW (Ta)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
20V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
200mA (Ta)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
1.2 Ohm @ 200mA, 2.5V
Vgs(th)（最大值）@Id
1V @ 1mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
-
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
25pF @ 10V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
1.2V, 2.5V
电压 (最大值)
±8V
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