RRL025P03TR
MOSFET P-CH 30V 2.5A TUMT6
型号
RRL025P03TR
制造商/品牌
系列
-
零件状态
Active
包装
Cut Tape (CT)
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
6-SMD, Flat Leads
供应商器件封装
TUMT6
功率耗散（最大）
320mW (Ta)
场效应晶体管类型
P-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
30V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
2.5A (Ta)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
75 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
2.5V @ 1mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
5.2nC @ 5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
480pF @ 10V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
4V, 10V
电压 (最大值)
±20V
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