RQ7E110AJTCR
NCH 30V 11A MIDDLE POWER MOSFET
型号
RQ7E110AJTCR
制造商/品牌
系列
-
零件状态
Active
包装
Tape & Reel (TR)
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
8-SMD, Flat Lead
供应商器件封装
TSMT8
功率耗散（最大）
1.5W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
30V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
11A (Tc)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
9 mOhm @ 4.5A, 11V
Vgs(th)（最大值）@Id
1.5V @ 10mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
22nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
2410pF @ 15V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
4.5V
电压 (最大值)
±12V
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