QS6K1TR
MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6
封装/箱体
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
场效应晶体管类型
2 N-Channel (Dual)
场效应晶体管特性
Logic Level Gate
Rds On(最大值)@ Id、Vgs
238 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th)(最大值)@Id
1.5V @ 1mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
2.4nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
77pF @ 10V
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