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NVDD5894NLT4G

NVDD5894NLT4G

MOSFET 2N-CH 40V 14A DPAK
型号
NVDD5894NLT4G
制造商/品牌
系列
-
零件状态
Active
包装
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
功率 - 最大
3.8W
供应商器件封装
D-Pak 5-Lead
场效应晶体管类型
2 N-Channel (Dual) Common Drain
场效应晶体管特性
Standard
漏源电压 (Vdss)
40V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
14A
Rds On(最大值)@ Id、Vgs
10 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(最大值)@Id
2.5V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
41nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
2103pF @ 25V
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