购买 ON Semiconductor NTR5105PT1G MOSFET P-CH 60V 0.196A SOT23 - YYIC

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NTR5105PT1G

数据表

NTR5105PT1G

MOSFET P-CH 60V 0.196A SOT23

型号

NTR5105PT1G

制造商/品牌

ON Semiconductor

系列

-

零件状态

Active

包装

Cut Tape (CT)

技术

MOSFET (Metal Oxide)

工作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安装类型

Surface Mount

封装/箱体

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装

SOT-23-3 (TO-236)

功率耗散（最大）

347mW (Ta)

场效应晶体管类型

P-Channel

场效应晶体管特性

-

漏源电压 (Vdss)

60V

电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C

196mA (Ta)

Rds On（最大值）@ Id、Vgs

5 Ohm @ 100mA, 10V

Vgs(th)（最大值）@Id

3V @ 250µA

栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs

1nC @ 5V

输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds

30.3pF @ 25V

驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）

4.5V, 10V

电压 (最大值)

±20V

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