ON Semiconductor
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J113_D26Z
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J113_D26Z

JFET N-CH 35V 625MW TO92
型号
J113_D26Z
制造商/品牌
ON Semiconductor
系列
-
零件状态
Obsolete
包装
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/箱体
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
功率 - 最大
625mW
供应商器件封装
TO-92-3
场效应晶体管类型
N-Channel
漏源电压 (Vdss)
-
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
-
击穿电压 (V(BR)GSS)
35V
电流 - 漏极 (Idss) @ Vds (Vgs=0)
2mA @ 15V
最大电流消耗 (Id)
-
电压 - 截止 (VGS 关闭) @ Id
500mV @ 1µA
电阻——RDS(On)
100 Ohms
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