ON Semiconductor
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FDB5690
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FDB5690

MOSFET N-CH 60V 32A TO-263AB
型号
FDB5690
制造商/品牌
ON Semiconductor
系列
PowerTrench®
零件状态
Obsolete
包装
Tape & Reel (TR)
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-65°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装
TO-263AB
功率耗散（最大）
58W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
60V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
32A (Tc)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
27 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
4V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
33nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1120pF @ 25V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
6V, 10V
电压 (最大值)
±20V
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