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PMT760EN,135

PMT760EN,135

MOSFET N-CH 100V SC-73
型号
PMT760EN,135
制造商/品牌
系列
-
零件状态
Obsolete
包装
Cut Tape (CT)
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
TO-261-4, TO-261AA
供应商器件封装
SOT-223
功率耗散(最大)
800mW (Ta), 6.2W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
100V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
900mA (Ta)
Rds On(最大值)@ Id、Vgs
950 mOhm @ 800mA, 10V
Vgs(th)(最大值)@Id
2.5V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
3nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
160pF @ 80V
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)
4.5V, 10V
电压 (最大值)
±20V
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