PHD14NQ20T,118
MOSFET N-CH 200V 14A DPAK
型号
PHD14NQ20T,118
制造商/品牌
系列
TrenchMOS™
零件状态
Obsolete
包装
Tape & Reel (TR)
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装
DPAK
功率耗散（最大）
125W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
200V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
14A (Tc)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
230 mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
4V @ 1mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
38nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1500pF @ 25V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
5V, 10V
电压 (最大值)
±20V
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