PMDT670UPE,115
MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT666
型号
PMDT670UPE,115
制造商/品牌
系列
Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
零件状态
Active
包装
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
SOT-563, SOT-666
功率 - 最大
330mW
供应商器件封装
SOT-666
场效应晶体管类型
2 P-Channel (Dual)
场效应晶体管特性
Logic Level Gate
漏源电压 (Vdss)
20V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
550mA
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
850 mOhm @ 400mA, 4.5V
Vgs(th)（最大值）@Id
1.3V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
1.14nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
87pF @ 10V
请求报价
请填写所有必填字段并点击“提交”，我们将在12小时内通过电子邮件与您联系。如果您有任何问题，请留言或发送电子邮件至 [email protected]，我们将尽快回复。
有货 7192 PCS
联系信息
相关产品
关键词 PMDT670UPE,115
PMDT670UPE,115 电子元件
PMDT670UPE,115 销售
PMDT670UPE,115 供应商
PMDT670UPE,115 分销商
PMDT670UPE,115 数据表
PMDT670UPE,115 图片
PMDT670UPE,115 报价
PMDT670UPE,115 提供
PMDT670UPE,115 最低价格
PMDT670UPE,115 搜索
PMDT670UPE,115 购买
PMDT670UPE,115 芯片