TC6320K6-G
MOSFET N/P-CH 200V 8VDFN
型号
TC6320K6-G
制造商/品牌
系列
-
零件状态
Active
包装
Cut Tape (CT)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
8-VDFN Exposed Pad
功率 - 最大
-
供应商器件封装
8-DFN (4x4)
场效应晶体管类型
N and P-Channel
场效应晶体管特性
Standard
漏源电压 (Vdss)
200V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
-
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
7 Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
2V @ 1mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
-
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
110pF @ 25V
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