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T-TD1R4N60P 11
MOSFET N-CH 600V
型号
T-TD1R4N60P 11
制造商/品牌
系列
-
零件状态
Obsolete
包装
-
技术
-
工作温度
-
安装类型
-
封装/箱体
-
供应商器件封装
-
功率耗散（最大）
-
场效应晶体管类型
-
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
-
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
-
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
-
Vgs(th)（最大值）@Id
-
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
-
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
-
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
-
电压 (最大值)
-
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