图片可能具有代表性。
产品详情请参阅规格.
MIEB100W1200TEH

MIEB100W1200TEH

IGBT MODULE 1200V 183A HEX
型号
MIEB100W1200TEH
制造商/品牌
系列
-
零件状态
Active
工作温度
-40°C ~ 125°C (TJ)
安装类型
Chassis Mount
封装/箱体
E3
功率 - 最大
630W
配置
Three Phase Inverter
供应商器件封装
E3
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
183A
电压 - 集电极发射极击穿电压(最大值)
1200V
电流 - 集电极截止(最大值)
300µA
IGBT类型
-
Vce(on)(最大值)@Vge,Ic
2.2V @ 15V, 100A
输入电容 (Cies) @ Vce
7.43nF @ 25V
输入
Standard
NTC热敏电阻
Yes
请求报价
请填写所有必填字段并点击“提交”,我们将在12小时内通过电子邮件与您联系。如果您有任何问题,请留言或发送电子邮件至 [email protected],我们将尽快回复。
有货 13308 PCS
联系信息
关键词 MIEB100W1200TEH
MIEB100W1200TEH 电子元件
MIEB100W1200TEH 销售
MIEB100W1200TEH 供应商
MIEB100W1200TEH 分销商
MIEB100W1200TEH 数据表
MIEB100W1200TEH 图片
MIEB100W1200TEH 报价
MIEB100W1200TEH 提供
MIEB100W1200TEH 最低价格
MIEB100W1200TEH 搜索
MIEB100W1200TEH 购买
MIEB100W1200TEH 芯片