图片可能具有代表性。
产品详情请参阅规格.
SPI08N80C3

SPI08N80C3

MOSFET N-CH 800V 8A TO262-3
型号
SPI08N80C3
制造商/品牌
系列
CoolMOS™
零件状态
Obsolete
包装
-
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/箱体
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
供应商器件封装
PG-TO262-3
功率耗散(最大)
104W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
800V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
8A (Tc)
Rds On(最大值)@ Id、Vgs
650 mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs(th)(最大值)@Id
3.9V @ 470µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
60nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1100pF @ 100V
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)
10V
电压 (最大值)
±20V
请求报价
请填写所有必填字段并点击“提交”,我们将在12小时内通过电子邮件与您联系。如果您有任何问题,请留言或发送电子邮件至 [email protected],我们将尽快回复。
有货 38372 PCS
联系信息
关键词 SPI08N80C3
SPI08N80C3 电子元件
SPI08N80C3 销售
SPI08N80C3 供应商
SPI08N80C3 分销商
SPI08N80C3 数据表
SPI08N80C3 图片
SPI08N80C3 报价
SPI08N80C3 提供
SPI08N80C3 最低价格
SPI08N80C3 搜索
SPI08N80C3 购买
SPI08N80C3 芯片