IPN95R1K2P7ATMA1
MOSFET N-CH 950V 6A SOT223
型号
IPN95R1K2P7ATMA1
制造商/品牌
系列
CoolMOS™ P7
零件状态
Active
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
SOT-223-3
供应商器件封装
PG-SOT223
功率耗散（最大）
7W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
漏源电压 (Vdss)
950V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
6A (Tc)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
1.2 Ohm @ 2.7A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
3.5V @ 140µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
15nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
478pF @ 400V
电压 (最大值)
±20V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
10V
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