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IPC60R041C6UNSAWNX6SA1
MOSFET N-CH BARE DIE
型号
IPC60R041C6UNSAWNX6SA1
制造商/品牌
系列
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零件状态
Last Time Buy
包装
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技术
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工作温度
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安装类型
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封装/箱体
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供应商器件封装
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功率耗散（最大）
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场效应晶体管类型
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场效应晶体管特性
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漏源电压 (Vdss)
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电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
-
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
-
Vgs(th)（最大值）@Id
-
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
-
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
-
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
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电压 (最大值)
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