IPC218N04N3X1SA1
MOSFET N-CH 40V 2A SAWN ON FOIL
型号
IPC218N04N3X1SA1
制造商/品牌
系列
OptiMOS™
零件状态
Active
包装
-
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
Die
供应商器件封装
Sawn on foil
功率耗散（最大）
-
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
40V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
2A (Tj)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
50 mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
4V @ 200µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
-
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
-
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
10V
电压 (最大值)
-
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