EPC8002
TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE
技术
GaNFET (Gallium Nitride)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
2A (Ta)
Rds On(最大值)@ Id、Vgs
530 mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th)(最大值)@Id
2.5V @ 250µA
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
21pF @ 32.5V
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