图片可能具有代表性。
产品详情请参阅规格.
DMN53D0LDW-13

DMN53D0LDW-13

MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363
型号
DMN53D0LDW-13
制造商/品牌
系列
-
零件状态
Active
包装
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
功率 - 最大
310mW
供应商器件封装
SOT-363
场效应晶体管类型
2 N-Channel (Dual)
场效应晶体管特性
Logic Level Gate
漏源电压 (Vdss)
50V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
360mA
Rds On(最大值)@ Id、Vgs
1.6 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大值)@Id
1.5V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
0.6nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
46pF @ 25V
请求报价
请填写所有必填字段并点击“提交”,我们将在12小时内通过电子邮件与您联系。如果您有任何问题,请留言或发送电子邮件至 [email protected],我们将尽快回复。
有货 16352 PCS
联系信息
关键词 DMN53D0LDW-13
DMN53D0LDW-13 电子元件
DMN53D0LDW-13 销售
DMN53D0LDW-13 供应商
DMN53D0LDW-13 分销商
DMN53D0LDW-13 数据表
DMN53D0LDW-13 图片
DMN53D0LDW-13 报价
DMN53D0LDW-13 提供
DMN53D0LDW-13 最低价格
DMN53D0LDW-13 搜索
DMN53D0LDW-13 购买
DMN53D0LDW-13 芯片