C3M0280090J-TR
MOSFET N-CH 900V 11A
型号
C3M0280090J-TR
制造商/品牌
系列
C3M™
零件状态
Active
包装
Digi-Reel®
技术
SiCFET (Silicon Carbide)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
供应商器件封装
D2PAK-7
功率耗散（最大）
50W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
900V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
11A (Tc)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
360 mOhm @ 7.5A, 15V
Vgs(th)（最大值）@Id
3.5V @ 1.2mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
9.5nC @ 15V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
150pF @ 600V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
15V
电压 (最大值)
+18V, -8V
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