C3M0065100K
1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET
型号
C3M0065100K
制造商/品牌
系列
C3M™
零件状态
Active
包装
Tube
技术
SiCFET (Silicon Carbide)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
-
封装/箱体
TO-247-4
供应商器件封装
TO-247-4L
功率耗散（最大）
113.5W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
1000V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
35A (Tc)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
78 mOhm @ 20A, 15V
Vgs(th)（最大值）@Id
3.5V @ 5mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
35nC @ 15V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
660pF @ 600V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
15V
电压 (最大值)
+19V, -8V
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