CDBGBSC201200-G
DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER
型号
CDBGBSC201200-G
制造商/品牌
系列
-
零件状态
Active
包装
-
安装类型
Through Hole
封装/箱体
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247
二极管类型
Silicon Carbide Schottky
电压 - 正向 (Vf) (最大值) @ If
1.8V @ 10A
电流 - 反向漏电流@Vr
100µA @ 1200V
二极管配置
1 Pair Common Cathode
电压 - 直流反向 (Vr)（最大值）
1200V
电流 - 平均整流电流 (Io)（每个二极管）
25.9A (DC)
速度
No Recovery Time > 500mA (Io)
反向恢复时间 (trr)
0ns
工作温度 - 结
-55°C ~ 175°C
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