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CDM22010-650 SL

CDM22010-650 SL

MOSFET N-CH 10A 650V TO220
型号
CDM22010-650 SL
制造商/品牌
系列
-
零件状态
Active
包装
Tube
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/箱体
TO-220-3
供应商器件封装
TO-220
功率耗散(最大)
2W (Ta), 156W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
650V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
10A (Ta)
Rds On(最大值)@ Id、Vgs
1 Ohm @ 5A, 10V
Vgs(th)(最大值)@Id
4V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
20nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1168pF @ 25V
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)
10V
电压 (最大值)
30V
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有货 42561 PCS
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