AGM-Semi (core control source)
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AGM3005A
N-channel 30V 316A 0.5mΩ
类目
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
制造商/品牌
AGM-Semi (core control source)
简介
Field effect transistor (MOSFET) type: N-channel drain-source voltage (Vdss): 30V continuous drain current (Id): 316A power (Pd): 227W on-resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 0.5mΩ @10V,50A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.5V@250uA Gate Charge (Qg@Vgs): 142nC@10V Input Capacitance (Ciss@Vds): 8.01nF@15V, Vds=30V Id=316A Rds=0.5mΩ, working temperature: -55℃~+150℃@(Tj) DFN5*6;
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有货 68546 PCS