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VQ1006P-E3

VQ1006P-E3

MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP
型号
VQ1006P-E3
制造商/品牌
系列
-
零件状态
Obsolete
包装
Tube
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/箱体
-
功率 - 最大
2W
供应商器件封装
14-DIP
场效应晶体管类型
4 N-Channel
场效应晶体管特性
Logic Level Gate
漏源电压 (Vdss)
90V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
400mA
Rds On(最大值)@ Id、Vgs
4.5 Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th)(最大值)@Id
2.5V @ 1mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
-
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
60pF @ 25V
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