SIZ998DT-T1-GE3
MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR
型号
SIZ998DT-T1-GE3
制造商/品牌
系列
TrenchFET®
零件状态
Active
包装
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
8-PowerWDFN
功率 - 最大
20.2W, 32.9W
供应商器件封装
8-PowerPair®
场效应晶体管类型
2 N-Channel (Dual), Schottky
场效应晶体管特性
Standard
漏源电压 (Vdss)
30V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
20A (Tc), 60A (Tc)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
6.7 mOhm @ 15A, 10V, 2.8 mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
2.2V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
8.1nC @ 4.5V, 19.8nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
930pF @ 15V, 2620pF @ 15V
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