SISH625DN-T1-GE3
MOSFET P-CHAN 30 V POWERPAK 1212
型号
SISH625DN-T1-GE3
制造商/品牌
系列
TrenchFET®
零件状态
Active
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
PowerPAK® 1212-8SH
供应商器件封装
PowerPAK® 1212-8SH
功率耗散（最大）
3.7W (Ta), 52W (Tc)
场效应晶体管类型
P-Channel
漏源电压 (Vdss)
30V
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
7 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
2.5V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
126nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
4427pF @ 15V
电压 (最大值)
±20V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
4.5V, 10V
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