SIR872DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
功率耗散(最大)
6.25W (Ta), 104W (Tc)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
53.7A (Tc)
Rds On(最大值)@ Id、Vgs
18 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大值)@Id
3.5V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
64nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
2130pF @ 75V
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